با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزارهایی است که در تکنولوژی soi ساخته می شوند. روش های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک های اضافی از کاربردی ترین روش های افزایش ولتاژ شکست می باشند. برای افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای ماسفت، یک ساختار جدید با دو پنجره در اکسید مدفون شده پیشنهاد شده است. در این ساختار از روش ایجاد پیک...

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

مدارات مجتمع cmos به منظور دستیابی به سرعت بالا و تراکم فشرده سازی، کوچک شدن افزاره ها را می طلبند، لذا با کوچک شدن طول گیت اثرات کانال کوتاه بسیار مهم خواهند شد. به دلیل تغییر طول گیت خواص قطعه نیز تغییر می کند. در این پایان نامه، اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و روش های کاهش آنها و نیز ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته اند؛ در نهایت با استفاده از شبیه ساز...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایsoi-mosfet به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده si3n4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار soi-mosfet چند لایه ...

ترانزیستورهای اثر میدانی بر روی عایق یکی از پر کاربرد ترین افزاره هاست. این فن آوری برای غلبه بر اثرات کانال کوتاه و کاهش جریان نشتی و کاهش خازنهای پارازیتی نقش مفیدی ایفا کرده است. همچنین با توجه به اهمیت کاربردهای ترانزیستورهای اثر میدانی بر روی عایق در طراحی مدارهای مجتمع rfبرای کاربردهای رادیویی و مخابراتی، ماهواره ها و سیستمهای بی سیم ، بهبود ساختار این افزاره ها مورد توجه اکید قرار گرفته ...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...